采用半导体工艺制成,具有很高的可靠性,无损坏极限;
玻璃钝化工艺,精准的导通电压;
瞬态功率大,低电容、低漏电流,箝位电压易控制;
快速响应时间:通常小于1.0PS;
优良的钳位能力,击穿电压偏差小;
电压精度高,在特殊应用场合,通过工艺或参数筛选可达到更高的精度;
体积小,易安装;
单向和双向单元;
在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W,甚至更高;
TVS二极管工作电压范围3.3V~600V,甚至更高;
采用半导体工艺制成,具有很高的可靠性,无损坏极限;
玻璃钝化工艺,精准的导通电压;
瞬态功率大,低电容、低漏电流,箝位电压易控制;
快速响应时间:通常小于1.0PS;
优良的钳位能力,击穿电压偏差小;
电压精度高,在特殊应用场合,通过工艺或参数筛选可达到更高的精度;
体积小,易安装;
单向和双向单元;
在10/1000μs波形下瞬态功率可达200W-30000W,甚至更高;
TVS二极管工作电压范围3.3V~600V,甚至更高;
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